Pojęcie regulacji w dół lub w górę dotyczy prądu i mocy elementu czynnego, którego używamy do regulacji wzmocnienia. Sam element nie jest w tym momencie istotny, może być to tranzystor bipolarny lub unipolarny lub jeszcze coś innego.
Jeśli podczas regulacji obniżamy wzmocnienie elementu poprzez zmianę punktu pracy tak, że prąd elementu maleje mamy regulację w dół. W przypadku wzrostu prądu i mocy pobieranej mamy regulację w górę tzn zwiększając prąd również powodujemy zmniejszanie wzmocnienia.
Wiele elementów półprzewodnikowych posiada charakterystyki umożliwiające taką regulację. Produkuje się też specjalne tranzystory do takiej regulacji. Typowym przykładem z minionej epoki są tranzystory typu BF180, BF200, BF272, które miały zastosowanie w głowicach TV. Właśnie w tych głowicach stosowano regulację w górę, aby zwiększyć odporność odbiornika na intermodulację.
Popatrz Rafale na charakterystykę tranzystora BF180 i BF200, a w szczególności na charakterystykę regulacyjną zależności wzmocnienia mocy od prądu kolektora.
BF200.pdf (Rozmiar: 453.66 KB / Pobrań: 1382)
Nie tylko tranzystorów bipolarnych można używać do takiej regulacji. Nadają się również inne, np MOSFET jednobramkowy BF999.
Charakterystyki regulacyjne mają wierzchołek. Dla określonego prądu uzyskuje się maksymalne wzmocnienie, a poniżej i powyżej wzmocnienie maleje. Jeśli będziemy poruszać się w lewo od maksimum to mamy regulację w dół, jeśli w prawo to regulację w górę, która daje mniejsze zniekształcenia intermodulacyjne, ale jest mniej ekonomiczna.
Należy zwrócić uwagę na charakterystykę Gate Transconductance w funkcji napięcia bramki.
Poniżej dane tranzystora BF999:
BF999.pdf (Rozmiar: 54.5 KB / Pobrań: 961)
W praktyce okazuje się, że taką regulację można także zastosować również dla tranzystorów MOSFET dwubramkowych np: BF998.
Aby zrealizować układ takiej regulacji na drugą bramkę podajemy stałe napięcie, jeśli nam specjalnie nie zależy na szumach to nieco obniżamy typową wartość napięcia bramka druga - źródło z 4V na 3V lub nawet 2V. Zwiększy to nieco nachylenie regulacji.
Napięcie regulacyjne podajemy tym razem na pierwszą bramkę mosfeta i zmieniamy w przeciwną stronę podczas regulacji tzn - tradycyjnie dla drugiej bramki obniżamy (regulacja w dół) a dla pierwszej tym razem napięcie rośnie w kierunku napięć dodatnich.
Regulacja jest bardzo łatwa, detektorem może być zwykła dioda ale spolaryzowana przeciwnie niż przy regulacji w dół.
W załączniku dane tranzystora BF998, należy przeanalizować wykres Gate1 forward transconductance.
BF998W.pdf (Rozmiar: 75.88 KB / Pobrań: 1469)
Z tych wykresów można zorientować się w jakim zakresie należy zmieniać napięcie regulacyjne i odpowiednio zaprojektować układ regulacji.
Znane są amatorskie schematy wzmacniaczy p.cz. na mosfetach wykorzystujące taką regulację. Wzorowane one były na konstrukcjach fabrycznych. Niestety nie mam czasu szukać linków, może komuś się uda i wklei schemat.
